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STN3NF06L  与  IRFL024ZTRPBF  区别

型号 STN3NF06L IRFL024ZTRPBF
唯样编号 A36-STN3NF06L A-IRFL024ZTRPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 STN3NF06L Series 60 V 0.1 Ohm N-Channel STripFET™ II Power MosFet - SOT-223 N-Channel 55 V 2.8 W 9.1 nC Surface Mount HEXFET Power Mosfet - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@1.5A,10V 57.5mΩ@3.1A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 3.3W(Tc) 1W(Ta)
栅极电压Vgs ±16V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4A 5.1A
系列 STripFET™ II HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 25V 340pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 5V 14nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V 10V
库存与单价
库存 3,499 2,500
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税)
30+ :  ¥2.398
100+ :  ¥1.914
1,000+ :  ¥1.716
2,000+ :  ¥1.617
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