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功率MOSFET   SOT-223

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制造商编号 IRLL024NTRPBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A36-IRLL024NTRPBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
栅极电压Vgs:±16V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) Rds On(Max)@Id,Vgs:65mΩ@3.1A,10V FET类型:N-Channel
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.6nC @ 5V
栅极电压Vgs ±16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.6nC @ 5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 510pF @ 25V
Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ@3.1A,10V
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 55V
连续漏极电流Id 4.4A
封装/外壳 SOT-223
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 5V
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V
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库存 :  2,477

价格梯度 单价(含税)
30+ ¥2.332
100+ ¥1.804
1,250+ ¥1.562
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

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最小包:2,500 
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特殊说明

生产日期  :  24+

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