制造商编号 | IRLL024NTRPBF |
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制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
唯样编号 | A36-IRLL024NTRPBF |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
栅极电压Vgs:±16V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) Rds On(Max)@Id,Vgs:65mΩ@3.1A,10V FET类型:N-Channel
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15.6nC @ 5V | |
栅极电压Vgs | ±16V | |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 510pF @ 25V | |
Pd-功率耗散(Max) | 1W(Ta) | |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
系列 | HEXFET® | |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4V,10V | |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15.6nC @ 5V | |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 510pF @ 25V | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 65mΩ@3.1A,10V | |
FET类型 | N-Channel | |
漏源极电压Vds | 55V | |
连续漏极电流Id | 4.4A | |
封装/外壳 | SOT-223 | |
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 5V | |
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | 25V |
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¥2
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单价:¥ 总价:¥ |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:2,500
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交期: 3天-15天 |
起订量:30 | 倍数:1 |
生产日期 : 24+
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低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计,针对高开关频率进行了优化,品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品,可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC,基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRLL024NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-223 |
¥2.332
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2,477 | 当前型号 | |||||||||||
DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-223 |
暂无价格 | 24,000 | 对比 | |||||||||||
STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-223 |
¥2.398
|
3,499 | 对比 | |||||||||||
DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-223 |
¥0.9944
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1,905 | 对比 | |||||||||||
STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT-223 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
AUIRLL024NTR | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT223 |
暂无价格 | 0 | 对比 |