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STN3NF06L  与  IRLL024NTRPBF  区别

型号 STN3NF06L IRLL024NTRPBF
唯样编号 A36-STN3NF06L A36-IRLL024NTRPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 STN3NF06L Series 60 V 0.1 Ohm N-Channel STripFET™ II Power MosFet - SOT-223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@1.5A,10V 65mΩ@3.1A,10V
漏源极电压Vds 60V 55V
Pd-功率耗散(Max) 3.3W(Tc) 1W(Ta)
栅极电压Vgs ±16V ±16V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 5V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-223 SOT-223
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 4A 4.4A
系列 STripFET™ II HEXFET®
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 25V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250µA 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 340pF @ 25V 510pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 9nC @ 5V 15.6nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 510pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15.6nC @ 5V
库存与单价
库存 3,499 2,477
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥2.398
100+ :  ¥1.914
1,000+ :  ¥1.716
2,000+ :  ¥1.617
30+ :  ¥2.332
100+ :  ¥1.804
1,250+ :  ¥1.562
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