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STD9NM60N  与  TK6P60W,RVQ  区别

型号 STD9NM60N TK6P60W,RVQ
唯样编号 A36-STD9NM60N A-TK6P60W,RVQ
制造商 STMicroelectronics Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 600 V
Pd-功率耗散(Max) - 60W(Tc)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 820 毫欧 @ 3.1A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 390 pF @ 300 V
Vgs(th) - 3.7V @ 310uA
FET类型 - N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 12 nC @ 10 V
封装/外壳 TO-252-3 DPAK
工作温度 - 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 6.2A(Ta)
FET功能 - 超级结
Vgs(最大值) - ±30V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
库存与单价
库存 2,037 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.432
100+ :  ¥2.86
1,250+ :  ¥2.596
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD9NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.432 

阶梯数 价格
20: ¥3.432
100: ¥2.86
1,250: ¥2.596
2,037 当前型号
R6007JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7A(Tc) N-Channel 7V@1mA 96W(Tc) TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

暂无价格 133 对比
TK6P60W,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 60W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 600 V 6.2A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPD60R600C6BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
FCD900N60Z ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 4.5A(Tc) ±20V 52W(Tc) 900mΩ@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63

暂无价格 0 对比
SPD07N60C3T Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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