首页 > 商品目录 > > > > STD9NM60N代替型号比较

STD9NM60N  与  IPD60R600C6BTMA1  区别

型号 STD9NM60N IPD60R600C6BTMA1
唯样编号 A36-STD9NM60N A-IPD60R600C6BTMA1
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 63W(Tc)
技术 - MOSFET(金属氧化物)
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 440pF @ 100V
FET类型 - N 通道
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 200uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 20.5nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 600 毫欧 @ 2.4A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 7.3A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 10V
漏源电压(Vdss) - 600V
库存与单价
库存 2,037 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.432
100+ :  ¥2.86
1,250+ :  ¥2.596
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD9NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.432 

阶梯数 价格
20: ¥3.432
100: ¥2.86
1,250: ¥2.596
2,037 当前型号
R6007JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7A(Tc) N-Channel 7V@1mA 96W(Tc) TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

¥11.1444 

阶梯数 价格
20: ¥11.1444
50: ¥6.6119
100: ¥6.0465
500: ¥5.6632
1,000: ¥5.5866
1,490 对比
R6007JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7A(Tc) N-Channel 7V@1mA 96W(Tc) TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

暂无价格 133 对比
TK6P60W,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 60W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 600 V 6.2A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPD60R600C6BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
FCD900N60Z ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 4.5A(Tc) ±20V 52W(Tc) 900mΩ@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售

Tips
Your browser language is English. Do you want to browse the English Website?
YESNO

我们会将数据手册发送到您的邮箱!

发送取消