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STD9NM60N  与  FCD900N60Z  区别

型号 STD9NM60N FCD900N60Z
唯样编号 A36-STD9NM60N A-FCD900N60Z
制造商 STMicroelectronics ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 900mΩ@2.3A,10V
漏源极电压Vds - 600V
Pd-功率耗散(Max) - 52W(Tc)
栅极电压Vgs - ±20V
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3 TO-252-3,Dpak,SC-63
连续漏极电流Id - 4.5A(Tc)
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 720pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 17nC @ 10V
库存与单价
库存 2,037 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
20+ :  ¥3.432
100+ :  ¥2.86
1,250+ :  ¥2.596
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STD9NM60N STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-252-3

¥3.432 

阶梯数 价格
20: ¥3.432
100: ¥2.86
1,250: ¥2.596
2,037 当前型号
R6007JND3TL1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

7A(Tc) N-Channel 7V@1mA 96W(Tc) TO-252-3 -55℃~150℃(TJ) 600V

暂无价格 133 对比
TK6P60W,RVQ Toshiba  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 60W(Tc) DPAK 150°C(TJ) 600 V 6.2A(Ta)

暂无价格 0 对比
IPD60R600C6BTMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
FCD900N60Z ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 600V 4.5A(Tc) ±20V 52W(Tc) 900mΩ@2.3A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63

暂无价格 0 对比
SPD07N60C3T Infineon  数据手册 功率MOSFET

N 通道 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比

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