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STB120NF10T4  与  IRFS4310ZTRLPBF  区别

型号 STB120NF10T4 IRFS4310ZTRLPBF
唯样编号 A36-STB120NF10T4 A36-IRFS4310ZTRLPBF
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述 N-Channel 100 V 0.0105 Ohm Surface Mount STripFET™ II MosFet - D2PAK Single N-Channel 100 V 250 W 120 nC Surface Mount Hexfet Power Mosfet - TO-263-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.5m Ohms@60A,10V 6mΩ@75A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 312W(Tc) 250W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D2PAK D2PAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 110A 127A
系列 STripFET™ II HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 4V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5200pF @ 25V 6860pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 233nC @ 10V 170nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 4V @ 150µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 6860pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 170nC @ 10V
库存与单价
库存 0 97
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
9+ :  ¥6.138
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 当前型号
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IPB027N10N3GATMA1_TO-263-3

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100: ¥26.3516
500: ¥26.0642
1,000: ¥25.6809
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0 对比

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