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功率MOSFET   D2PAK

特惠

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制造商编号 IRFS4310TRLPBF
制 造 商 Infineon(英飞凌)
唯样编号 A32-IRFS4310TRLPBF
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Single N-Channel 100 V 300 W 170 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 250nC @ 10V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7670pF @ 50V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc)
工作温度 -55°C~175°C(TJ)
系列 HEXFET®
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 250nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 7670pF @ 50V
Rds On(Max)@Id,Vgs 7mΩ@75A,10V
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 100V
连续漏极电流Id 130A
封装/外壳 D2PAK
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 50V
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库存 :  34

价格梯度 单价(含税)
1+ ¥18.399
25+ ¥17.6913
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:800 
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交期: 7天-14天
起订量:1 倍数:1

特殊说明

生产日期  :  1651

热销商品

制造商编号 最近销量(PCS)
AO3401A 276,000
PJA3441_R1_00001 141,000
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NCEP039N10D 24,000
NCE6012AS 20,000

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS4310TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D2PAK

¥18.399 

阶梯数 价格
1: ¥18.399
25: ¥17.6913
34 当前型号
STH110N10F7-2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

H2PAK

¥6.2748 

阶梯数 价格
1: ¥6.2748
2: ¥6.0239
4: ¥5.7828
410 对比
PSMN7R0-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN7R0-100BS_TO-263-2

¥15.1058 

阶梯数 价格
10: ¥15.1058
100: ¥11.1895
400: ¥9.4826
800: ¥8.6996
145 对比
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

¥23.8471 

阶梯数 价格
1: ¥23.8471
2 对比
BUK965R8-100E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK965R8-100E_SOT404

¥16.2018 

阶梯数 价格
210: ¥16.2018
400: ¥13.7303
800: ¥12.5966
0 对比
STB120NF10T4 STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

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