首页 > 商品目录 > > > > SIR426DP-T1-GE3代替型号比较

SIR426DP-T1-GE3  与  RS6G100BGTB1  区别

型号 SIR426DP-T1-GE3 RS6G100BGTB1
唯样编号 A36-SIR426DP-T1-GE3 A33-RS6G100BGTB1
制造商 Vishay ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET Nch 40V 100A, HSOP8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 5.15 mm -
零件号别名 SIR426DP-GE3 -
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.5mΩ@15A,10V 3.4mΩ@90A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 4.8W(Ta),41.7W(Tc) 59W
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOIC-8 HSOP8 (Single)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150℃
连续漏极电流Id 30A 100A
系列 SIR -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
长度 6.15 mm -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1160pF @ 20V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
高度 1.04 mm -
库存与单价
库存 16,193 64
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
20+ :  ¥3.641
100+ :  ¥3.036
750+ :  ¥2.805
1,500+ :  ¥2.673
3,000+ :  ¥2.552
20+ :  ¥11.6427
50+ :  ¥6.6407
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR426DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

6.15mm SOIC-8

¥3.641 

阶梯数 价格
20: ¥3.641
100: ¥3.036
750: ¥2.805
1,500: ¥2.673
3,000: ¥2.552
16,193 当前型号
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥70.172 

阶梯数 价格
3: ¥70.172
10: ¥15.9356
50: ¥11.0294
100: ¥10.4161
500: ¥10.0041
1,000: ¥9.9274
1,756 对比
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥10.1972 

阶梯数 价格
1: ¥10.1972
100: ¥5.0986
100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥11.6427 

阶梯数 价格
20: ¥11.6427
50: ¥6.6407
64 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售