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功率MOSFET   6.15mm SOIC-8

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制造商编号 SIR426DP-T1-GE3
制 造 商 Vishay(威世)
唯样编号 A36-SIR426DP-T1-GE3
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
系列 SIR
高度 1.04 mm
长度 6.15 mm
宽度 5.15 mm
零件号别名 SIR426DP-GE3
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 31nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1160pF @ 20V
栅极电压Vgs ±20V
Pd-功率耗散(Max) 4.8W(Ta),41.7W(Tc)
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOIC-8
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 40V
连续漏极电流Id 30A
Rds On(Max)@Id,Vgs 10.5mΩ@15A,10V
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库存 :  16,193

价格梯度 单价(含税)
20+ ¥3.641
100+ ¥3.036
750+ ¥2.805
1,500+ ¥2.673

整包(请按3000的倍数下单)

3,000+ ¥2.552
¥2  
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单价:

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生产日期  :  2年内

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制造商编号 最近销量(PCS)
AO3401A 276,000
PJA3441_R1_00001 141,000
PJD16P06A-AU_L2_000A1 42,000
NCEP039N10D 24,000
NCE6012AS 20,000

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SIR426DP-T1-GE3 Vishay  数据手册 功率MOSFET

6.15mm SOIC-8

¥3.641 

阶梯数 价格
20: ¥3.641
100: ¥3.036
750: ¥2.805
1,500: ¥2.673
3,000: ¥2.552
16,193 当前型号
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥70.172 

阶梯数 价格
3: ¥70.172
10: ¥15.9356
50: ¥11.0294
100: ¥10.4161
500: ¥10.0041
1,000: ¥9.9274
1,756 对比
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥10.1972 

阶梯数 价格
1: ¥10.1972
100: ¥5.0986
100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 对比
RS6G100BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

¥11.6427 

阶梯数 价格
20: ¥11.6427
50: ¥6.6407
64 对比
+1

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