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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | HSOP8 (Single) | |
FET类型 | N-Channel | |
Pd-功率耗散(Max) | 104W | |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.34mΩ@90A,10V | |
工作温度 | -55°C~150°C | |
栅极电压Vgs | ±20V | |
漏源极电压Vds | 40V | |
连续漏极电流Id | 120A |
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价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
最小包:2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3天-15天 |
承受10us短路时间,低集电极-发射极饱和电压,内置快速恢复二极管(FRD)
低开关损耗且高速开关工作,它被广泛用于电源的PFC电路中
低集电极和发射极饱和电压,内置非常快速和软恢复的 FRD
24个通道的恒流驱动芯片,每个通道都能提供最大1A的输出电流
具有60V漏源电压(VDSS)和±15.5A连续漏极电流,适用开关、电机驱动器和直流/直流转换器
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 276,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
NCEP039N10D | 24,000 |
NCE6012AS | 20,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8(Single) |
暂无价格 | 100 | 当前型号 | |||||||||||||
IRF7469 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||
IRF7842 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||||
SI4122DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOIC |
¥9.152
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19,917 | 对比 | |||||||||||||
SIR426DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
6.15mm SOIC-8 |
¥3.641
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16,193 | 对比 | |||||||||||||
IRF7842TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SO |
¥4.532
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5,908 | 对比 |