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功率MOSFET   HSOP8(Single)

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制造商编号 RS6G120BGTB1
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A3-RS6G120BGTB1
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
封装/外壳 HSOP8 (Single)
FET类型 N-Channel
Pd-功率耗散(Max) 104W
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.34mΩ@90A,10V
工作温度 -55°C~150°C
栅极电压Vgs ±20V
漏源极电压Vds 40V
连续漏极电流Id 120A
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS6G120BGTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSOP8(Single)

暂无价格 100 当前型号
IRF7469 Infineon  数据手册 功率MOSFET

SO8

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8-SOIC

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阶梯数 价格
6: ¥9.152
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19,917 对比
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¥3.641 

阶梯数 价格
20: ¥3.641
100: ¥3.036
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8-SO

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阶梯数 价格
20: ¥4.532
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5,908 对比
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