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RTR025N03TL  与  AO3424  区别

型号 RTR025N03TL AO3424
唯样编号 A36-RTR025N03TL A36-AO3424-1
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 18
宽度 1.6 mm -
Rds On(Max)@Id,Vgs 92mΩ@2.5A,4.5V 55mΩ@3.8A,10V
上升时间 15 ns -
Rds On(Max)@4.5V - 65mΩ
Rds On(Max)@2.5V - 85mΩ
Qgd(nC) - 1.6
栅极电压Vgs 12V ±12V
Td(on)(ns) - 3.5
封装/外壳 TSMT SOT23-3
工作温度 150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 2.5A 3.8A
配置 Single -
Ciss(pF) - 235
长度 2.9 mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
下降时间 10 ns -
高度 0.85 mm -
Trr(ns) - 8.5
Td(off)(ns) - 17.5
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1W(Ta) 1.4W
Qrr(nC) - 2.6
VGS(th) - 1.5
典型关闭延迟时间 25 ns -
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 RTR -
通道数量 1 Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 220pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.6nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 9 ns -
Coss(pF) - 35
Qg*(nC) - 4.7
库存与单价
库存 2 6,488
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
90+ :  ¥0.5752
200+ :  ¥0.468
1,500+ :  ¥0.4259
3,000+ :  ¥0.3978
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
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113,173 对比
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¥0.6534 

阶梯数 价格
80: ¥0.6534
200: ¥0.4979
1,500: ¥0.4329
3,000: ¥0.3835
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¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
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¥0.5752 

阶梯数 价格
90: ¥0.5752
200: ¥0.468
1,500: ¥0.4259
3,000: ¥0.3978
6,488 对比

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