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PSMN4R8-100BSEJ  与  IRLS4030PBF  区别

型号 PSMN4R8-100BSEJ IRLS4030PBF
唯样编号 A36-PSMN4R8-100BSEJ A-IRLS4030PBF
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Single N-Channel 100 V 370 W 87 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 4.3mΩ@110A,10V
漏源极电压Vds 100V 100V
Pd-功率耗散(Max) 405W 370W(Tc)
输出电容 674pF -
栅极电压Vgs 3V ±16V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT404 D2PAK
工作温度 175℃ -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 120A 180A
系列 - HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
输入电容 10665pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11360pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 4.8mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 11360pF @ 50V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 130nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN4R8-100BSEJ Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN4R8-100BSE_SOT404

暂无价格 0 当前型号
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IPB120N08S404ATMA1_

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