| 制造商编号 | IPB120N08S404ATMA1 |
|---|---|
| 商品别名 | IPB120N08S4-04 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IPB120N08S404ATMA1 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 120A(Tc) | |
| FET类型 | N 通道 | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 4.1 毫欧 @ 100A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4V @ 120uA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 6450pF @ 25V | |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 95nC @ 10V | |
| 功率耗散(最大值) | 179W(Tc) | |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：1,000
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交期： 请咨询客服 |
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专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
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高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 546,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| AO3400A | 36,010 |
| NCEP039N10D | 28,800 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IPB120N08S404ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB120N08S4-04_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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PSMN4R8-100BSEJ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN4R8-100BSE_SOT404 |
￥26.1766
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50 | 对比 | ||||||||||
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PSMN4R8-100BSEJ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN4R8-100BSE_SOT404 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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AUIRFS3207Z | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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PSMN4R4-80BS,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN4R4-80BS_SOT404 |
￥13.2728
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0 | 对比 |
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