制造商编号 | PSMN4R8-100BSEJ |
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商品别名 | PSMN4R8-100BSE |
制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A36-PSMN4R8-100BSEJ |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
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PDF资料下载 |
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 功率MOSFET | |
封装/外壳 | SOT404 | |
FET类型 | N-Channel | |
Rds On(max)@Id,Vgs | 4.8mΩ@10V | |
Pd-功率耗散(Max) | 405W | |
工作温度 | 175℃ | |
栅极电压Vgs | 3V | |
漏源极电压Vds | 100V | |
输入电容 | 10665pF | |
输出电容 | 674pF | |
连续漏极电流Id | 120A |
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8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器,可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件,与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器,可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr,可在高环境温度下实现最佳效率
具有较高的集电极电流能力IC和ICM,非常适合用于线性稳压器、电源管理以及高侧开关等各类应用
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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AO3401A | 546,000 |
PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
AO3400A | 36,010 |
NCEP039N10D | 28,800 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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PSMN4R8-100BSEJ | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
PSMN4R8-100BSE_SOT404 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | |
IRLS4030PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
AUIRLS4030-7TRL | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D2PAK7P |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
IPB120N08S404ATMA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
IPB120N08S4-04_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB |
暂无价格 | 0 | 对比 | |
IPB120N08S4-04 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
IPB120N08S404ATMA1_ |
暂无价格 | 0 | 对比 |