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IRLML2502TRPBF  与  MGSF2N02ELT1G  区别

型号 IRLML2502TRPBF MGSF2N02ELT1G
唯样编号 A36-IRLML2502TRPBF A36-MGSF2N02ELT1G
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 1.25W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 45mΩ@4.2A,4.5V 85 毫欧 @ 3.6A,4.5V
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) -
栅极电压Vgs ±12V ±8V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
连续漏极电流Id 4.2A(Ta) 2.8A(Ta)
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 15V 150pF @ 5V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 5V 3.5nC @ 4V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V 2.5V,4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 150pF @ 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 3.5nC @ 4V
库存与单价
库存 46,837 5,110
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6578
200+ :  ¥0.5356
1,500+ :  ¥0.4862
3,000+ :  ¥0.455
40+ :  ¥1.628
100+ :  ¥1.254
750+ :  ¥1.0417
1,500+ :  ¥0.9471
3,000+ :  ¥0.869
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML2502TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.6578 

阶梯数 价格
80: ¥0.6578
200: ¥0.5356
1,500: ¥0.4862
3,000: ¥0.455
46,837 当前型号
DMN2075U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 52,000 对比
DMN2075U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.4719 

阶梯数 价格
110: ¥0.4719
200: ¥0.3042
1,500: ¥0.2639
24,759 对比
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
13,743 对比
DMN2058U-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.6292 

阶梯数 价格
80: ¥0.6292
100: ¥0.5122
500: ¥0.4654
2,500: ¥0.4316
5,000: ¥0.4043
8,820 对比
MGSF2N02ELT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23

¥1.628 

阶梯数 价格
40: ¥1.628
100: ¥1.254
750: ¥1.0417
1,500: ¥0.9471
3,000: ¥0.869
5,110 对比

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