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IRLML2502TRPBF  与  AO3402  区别

型号 IRLML2502TRPBF AO3402
唯样编号 A36-IRLML2502TRPBF A36-AO3402
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 18
Rds On(Max)@Id,Vgs 45mΩ@4.2A,4.5V 52mΩ@4A,10V
Rds On(Max)@4.5V - 65mΩ
Rds On(Max)@2.5V - 85mΩ
Qgd(nC) - 1.6
栅极电压Vgs ±12V ±12V
Td(on)(ns) - 3.5
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
连续漏极电流Id 4.2A(Ta) 4A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
Ciss(pF) - 235
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
Trr(ns) - 8.5
Td(off)(ns) - 17.5
漏源极电压Vds 20V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.25W(Ta) 1.4W
Qrr(nC) - 2.6
VGS(th) - 1.5
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12nC @ 5V -
Coss(pF) - 35
Qg*(nC) - 4.7
库存与单价
库存 17,553 9,267
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6578
200+ :  ¥0.5356
1,500+ :  ¥0.4862
3,000+ :  ¥0.455
100+ :  ¥0.5544
200+ :  ¥0.4225
1,500+ :  ¥0.3679
3,000+ :  ¥0.325
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML2502TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.6578 

阶梯数 价格
80: ¥0.6578
200: ¥0.5356
1,500: ¥0.4862
3,000: ¥0.455
17,553 当前型号
DMN2075U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 52,000 对比
AO3402 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
9,267 对比
DMN2058U-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23-3

¥0.6292 

阶梯数 价格
80: ¥0.6292
100: ¥0.5122
500: ¥0.4654
2,500: ¥0.4316
5,000: ¥0.4043
8,820 对比
MGSF2N02ELT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23

¥1.628 

阶梯数 价格
40: ¥1.628
100: ¥1.254
750: ¥1.0417
1,500: ¥0.9471
3,000: ¥0.869
5,110 对比
ZXMN2F30FHQTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥1.562 

阶梯数 价格
40: ¥1.562
100: ¥1.21
750: ¥1.0043
1,500: ¥0.913
3,000: ¥0.8382
3,000 对比

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