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IRLML2030TRPBF  与  BSH108,215  区别

型号 IRLML2030TRPBF BSH108,215
唯样编号 A36-IRLML2030TRPBF A36-BSH108,215
制造商 Infineon Technologies Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single HexFet 30 V 1.3 W 1 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23 BSH Series 30 V 120 mO 0.83 W N-Channel Enhancement Mode Transistor - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 100mΩ@2.7A,10V -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.3W(Ta) 0.83W
输出电容 - 70pF
栅极电压Vgs ±20V 1.5V,20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 SOT23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150℃
连续漏极电流Id 2.7A 1.9A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 25µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 15V -
输入电容 - 190pF
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 140mΩ@5V,120mΩ@10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.3V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 1nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 30,833 2
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
80+ :  ¥0.6765
200+ :  ¥0.5512
1,500+ :  ¥0.5005
3,000+ :  ¥0.468
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML2030TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.6765 

阶梯数 价格
80: ¥0.6765
200: ¥0.5512
1,500: ¥0.5005
3,000: ¥0.468
30,833 当前型号
DMN3110S-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

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