制造商编号 | BSH108,215 |
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商品别名 | BSH108 |
制 造 商 |
Nexperia(安世)
授权代理品牌
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唯样编号 | A36-BSH108,215 |
供货 | |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
BSH Series 30 V 120 mO 0.83 W N-Channel Enhancement Mode Transistor - SOT-23-3
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PDF资料下载 |
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 小信号MOSFET | |
封装/外壳 | SOT23 | |
FET类型 | N-Channel | |
Rds On(max)@Id,Vgs | 140mΩ@5V,120mΩ@10V | |
Pd-功率耗散(Max) | 0.83W | |
工作温度 | 150℃ | |
栅极电压Vgs | 1.5V,20V | |
漏源极电压Vds | 30V | |
输入电容 | 190pF | |
输出电容 | 70pF | |
连续漏极电流Id | 1.9A |
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8位串行或并行输入/串行输出移位寄存器,可用于从高电平到低电平的转换应用
低电压CMOS器件,与74HC/HCT4052引脚和功能兼容
具有三态输出的单位双电源收发器,可实现双向电平转换
低反向电流、低正向电压和最低Qrr,可在高环境温度下实现最佳效率
具有较高的集电极电流能力IC和ICM,非常适合用于线性稳压器、电源管理以及高侧开关等各类应用
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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LBSS138LT1G | 120,000 |
PJA3401-AU_R1_000A1 | 39,000 |
L2N7002DW1T1G | 30,000 |
DMN2005LP4K-7 | 18,000 |
LSI1012XT1G | 14,600 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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BSH108,215 | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
BSH108_SOT23 |
暂无价格 | 2 | 当前型号 | |||||||||||||
FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT |
暂无价格 | 12,000 | 对比 | ||||||||||||||
2N7002LT1G | ON Semiconductor | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
¥0.7348
|
6,647 | 对比 | ||||||||||||||
ZXMN3A01FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
¥1.364
|
5,885 | 对比 | |||||||||||||
FDN357N | ON Semiconductor | 通用MOSFET |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT |
¥1.584
|
5,832 | 对比 | ||||||||||||||
ZXMN3B01FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
¥1.353
|
3,040 | 对比 |