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IRL6342TRPBF  与  AO4468  区别

型号 IRL6342TRPBF AO4468
唯样编号 A36-IRL6342TRPBF A36-AO4468
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.5 W 11 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 82
Rds On(Max)@Id,Vgs 14.6mΩ@9.9A,4.5V 17mΩ@10.5A,10V
Rds On(Max)@4.5V - 23mΩ
Qgd(nC) - 3
栅极电压Vgs ±12V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
Td(on)(ns) - 5
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃
连续漏极电流Id 9.9A 10.5A
Ciss(pF) - 740
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1025pF @ 25V -
Trr(ns) - 18
Td(off)(ns) - 19
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 3.1W
Qrr(nC) - 9
VGS(th) - 2.4
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1025pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 110
Qg*(nC) - 7.5
库存与单价
库存 107 5,465
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
30+ :  ¥2.035
100+ :  ¥1.628
70+ :  ¥0.7975
200+ :  ¥0.5511
购买数量

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