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IRL6342TRPBF  与  ZXMN2A02N8TA  区别

型号 IRL6342TRPBF ZXMN2A02N8TA
唯样编号 A36-IRL6342TRPBF A-ZXMN2A02N8TA
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.5 W 11 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 MOSFET N-CH 20V 8.3A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 14.6mΩ@9.9A,4.5V -
漏源极电压Vds 30V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 1.56W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 20mΩ@11A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 1900 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±12V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.5V -
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 18.9 nC @ 4.5 V
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
连续漏极电流Id 9.9A 8.3A(Ta)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA -
驱动电压 - 2.5V,4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1025pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.1V @ 10µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1025pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 11nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 107 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.035
100+ :  ¥1.628
暂无价格
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