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IRFR024NTRPBF  与  DMN10H099SK3-13  区别

型号 IRFR024NTRPBF DMN10H099SK3-13
唯样编号 A36-IRFR024NTRPBF A36-DMN10H099SK3-13
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 17A TO252
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 75mΩ@10A,10V 80mΩ@3.3A,10V
漏源极电压Vds 55V 100V
Pd-功率耗散(Max) 45W(Tc) 34W(Tc)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 D-Pak DPAK
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 17A 17A
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 370pF @ 25V 1172pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 20nC @ 10V 25.2nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 6V,10V
库存与单价
库存 0 5,447
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥2.112
100+ :  ¥1.617
1,250+ :  ¥1.408
2,500+ :  ¥1.331
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFR024NTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

D-Pak

暂无价格 0 当前型号
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥2.112 

阶梯数 价格
30: ¥2.112
100: ¥1.617
1,250: ¥1.408
2,500: ¥1.331
5,447 对比
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¥8.252 

阶梯数 价格
400: ¥8.252
1,000: ¥5.6911
1,250: ¥4.8229
2,500: ¥3.9532
0 对比
DMN10H099SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

DPAK

¥1.4011 

阶梯数 价格
2,500: ¥1.4011
0 对比

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