| 制造商编号 | DMN10H099SK3-13 |
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| 制 造 商 | Diodes(达尔) |
| 唯样编号 | A36-DMN10H099SK3-13 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 100V 17A TO252
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 6V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 25.2nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1172pF @ 50V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 34W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 80mΩ@3.3A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | DPAK | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 100V | |
| 连续漏极电流Id | 17A |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：30 | 倍数：1 |
生产日期 : 2年内
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMN10H099SK3-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
￥2.112
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5,447 | 当前型号 | ||||||||||||
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IRLR3410TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D-Pak |
暂无价格 | 2,000 | 对比 | ||||||||||||
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IRLR3410TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D-Pak |
￥2.607
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1,444 | 对比 | ||||||||||||
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IRLR3410TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D-Pak |
￥7.6851
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1,332 | 对比 | ||||||||||||
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IRFR3910TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252-3 |
￥3.223
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587 | 对比 | ||||||||||||
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IRLR3410PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
D-Pak |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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