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IRF7821TRPBF  与  IRF7458TRPBF  区别

型号 IRF7821TRPBF IRF7458TRPBF
唯样编号 A36-IRF7821TRPBF A36-IRF7458TRPBF
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.5 W 9.3 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 Single N-Channel 30 V 2.5 W 39 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.1mΩ@13A,10V 8mΩ@14A,16V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55°C~155°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 13.6A 14A
系列 HEXFET® HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1010pF @ 15V 2410pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V 59nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 10V,16V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1010pF @ 15V 2410pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V 59nC @ 10V
库存与单价
库存 1 12
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
8+ :  ¥6.391
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7821TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 1 当前型号
AO4566 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.6699 

阶梯数 价格
80: ¥0.6699
200: ¥0.546
1,500: ¥0.4966
2,890 对比
AOSP32314 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥2.5128 

阶梯数 价格
1: ¥2.5128
100: ¥2
1,000: ¥1.4412
1,500: ¥1.2405
3,000: ¥0.98
1,010 对比
NTMS4816NR2G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC

¥1.3637 

阶梯数 价格
1: ¥1.3637
2: ¥1.3093
4: ¥1.2568
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FDS6680A ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

SOIC 8-SOIC

¥0.6178 

阶梯数 价格
1: ¥0.6178
25: ¥0.5325
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IRF7458TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥6.391 

阶梯数 价格
8: ¥6.391
12 对比

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