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IRF7821TRPBF  与  AOSP32314  区别

型号 IRF7821TRPBF AOSP32314
唯样编号 A36-IRF7821TRPBF A-AOSP32314
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.5 W 9.3 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 95
Rds On(Max)@Id,Vgs 9.1mΩ@13A,10V 9mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 12.6mΩ
Qgd(nC) - 4
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~155°C(TJ) -
连续漏极电流Id 13.6A 14.5A
Ciss(pF) - 1420
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1010pF @ 15V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 7.5
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 3.1W
Qrr(nC) - 9
VGS(th) - 2.25
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1010pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 150
Qg*(nC) - 10
库存与单价
库存 1 1,010
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
1+ :  ¥2.5128
100+ :  ¥2
1,000+ :  ¥1.4412
1,500+ :  ¥1.2405
3,000+ :  ¥0.98
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¥2.5128 

阶梯数 价格
1: ¥2.5128
100: ¥2
1,000: ¥1.4412
1,500: ¥1.2405
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