| 制造商编号 | IRF7821TRPBF |
|---|---|
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A36-IRF7821TRPBF |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
Single N-Channel 30 V 2.5 W 9.3 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 4.5V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1010pF @ 15V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta) | |
| 工作温度 | -55°C~155°C(TJ) | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 14nC @ 4.5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1010pF @ 15V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9.1mΩ@13A,10V | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 13.6A | |
| 封装/外壳 | 8-SO |
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| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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IRF7821TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SO |
暂无价格 | 1 | 当前型号 | ||||||||||||
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AO4566 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 |
￥0.6699
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2,890 | 对比 | ||||||||||||
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AOSP32314 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 |
￥2.5128
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1,010 | 对比 | ||||||||||||
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NTMS4816NR2G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOIC |
￥1.3637
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72 | 对比 | ||||||||||||
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FDS6680A | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOIC 8-SOIC |
￥0.6178
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40 | 对比 | ||||||||||||
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IRF7458TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-SO |
￥6.391
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12 | 对比 |
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