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IRF7413ZTRPBF  与  AO4566  区别

型号 IRF7413ZTRPBF AO4566
唯样编号 A36-IRF7413ZTRPBF A36-AO4566
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 10 mOhm 9.5 nC HEXFET Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 31
Rds On(Max)@Id,Vgs 10mΩ@13A,10V 11mΩ@10V
ESD Diode - No
Rds On(Max)@4.5V - 17mΩ
Qgd(nC) - 1.7
栅极电压Vgs ±20V 20V
Td(on)(ns) - 4
封装/外壳 8-SO SO-8
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 13A 12A
Ciss(pF) - 542
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1210pF @ 15V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 9.7
Td(off)(ns) - 18
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W
Qrr(nC) - 11.5
VGS(th) - 2.3
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 25µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1210pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V -
Coss(pF) - 233
Qg*(nC) - 4.3
库存与单价
库存 73 2,890
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
20+ :  ¥3.289
80+ :  ¥0.6699
200+ :  ¥0.546
1,500+ :  ¥0.4966
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7413ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥3.289 

阶梯数 价格
20: ¥3.289
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2,500: ¥2.024
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¥0.7975 

阶梯数 价格
70: ¥0.7975
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SO-8

¥0.6699 

阶梯数 价格
80: ¥0.6699
200: ¥0.546
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FDS6670A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

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IRF7413TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

8-SO

¥5.0473 

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1: ¥5.0473
25: ¥4.6734
40 对比

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