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IRF7413ZTRPBF  与  FDS6670A  区别

型号 IRF7413ZTRPBF FDS6670A
唯样编号 A36-IRF7413ZTRPBF A32-FDS6670A
制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 10 mOhm 9.5 nC HEXFET Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 N-Channel 30 V 8 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 10mΩ@13A,10V 8m Ohms@13A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 13A 13A
系列 HEXFET® PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 25µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1210pF @ 15V 2220pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V 30nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.25V @ 25µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1210pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 73 500
工厂交货期 3 - 15天 7 - 14天
单价(含税)
20+ :  ¥3.289
1+ :  ¥3.6646
25+ :  ¥3.1592
100+ :  ¥2.7234
购买数量

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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF7413ZTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥3.289 

阶梯数 价格
20: ¥3.289
73 当前型号
FDS6670A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

¥2.024 

阶梯数 价格
2,500: ¥2.024
5,000: ¥1.862
10,000: ¥1.7129
15,000 对比
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.7975 

阶梯数 价格
70: ¥0.7975
200: ¥0.5511
5,465 对比
AO4566 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.6699 

阶梯数 价格
80: ¥0.6699
200: ¥0.546
1,500: ¥0.4966
2,890 对比
FDS6670A ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC 8-SOIC

¥3.6646 

阶梯数 价格
1: ¥3.6646
25: ¥3.1592
100: ¥2.7234
500 对比
IRF7413TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

8-SO

¥5.0473 

阶梯数 价格
1: ¥5.0473
25: ¥4.6734
40 对比

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