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DMS3015SSS-13  与  RXH125N03TB1  区别

型号 DMS3015SSS-13 RXH125N03TB1
唯样编号 A36-DMS3015SSS-13 A-RXH125N03TB1
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 12mΩ@12.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.55W(Ta) 2W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 11.9mΩ@11A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1276 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±12V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 30.6 nC @ 10 V -
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55℃~150℃(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 11A(Ta) 12.5A(Ta)
驱动电压 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1000pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 12.7nC @ 5V
库存与单价
库存 2,500 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.628
100+ :  ¥1.254
1,250+ :  ¥1.0637
2,500+ :  ¥0.902
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMS3015SSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥1.628 

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40: ¥1.628
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30: ¥6.6119
50: ¥3.718
100: ¥3.5264
500: ¥3.2868
1,000: ¥3.1718
2,000: ¥2.9514
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8-SOIC

¥6.6119 

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30: ¥6.6119
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