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功率MOSFET   8-SOIC

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制造商编号 RXH125N03TB1
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A33-RXH125N03TB1
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:12.5A(Ta) 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta)
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参数信息 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 12.5A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 12.7nC @ 5V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1000pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 12mΩ@12.5A,10V
工作温度 150°C(TJ)
封装/外壳 8-SOIC
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库存 :  48

价格梯度 单价(含税)
30+ ¥6.6119
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:2,500 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3周-4周
起订量:30 倍数:1

特殊说明

生产年份  :  2016 年

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