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DMN65D8L-7  与  BSS138NH6327XTSA2  区别

型号 DMN65D8L-7 BSS138NH6327XTSA2
唯样编号 A36-DMN65D8L-7 A36-BSS138NH6327XTSA2
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 DMN65D8L: 60 V 3 Ohm SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 360mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 3Ω@115mA,10V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 60V -
Pd-功率耗散(Max) 370mW(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 41pF @ 25V
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N 通道
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.31A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.4V @ 26uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 1.4nC @ 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 22pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.87nC @ 10V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 3.5 欧姆 @ 230mA,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 5V,10V -
25°C时电流-连续漏极(Id) - 230mA(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
漏源电压(Vdss) - 60V
库存与单价
库存 22,414 24,457
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税)
90+ :  ¥0.5874
200+ :  ¥0.2685
1,500+ :  ¥0.1665
3,000+ :  ¥0.1152
100+ :  ¥0.5544
200+ :  ¥0.4225
1,500+ :  ¥0.3679
3,000+ :  ¥0.325
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN65D8L-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.5874 

阶梯数 价格
90: ¥0.5874
200: ¥0.2685
1,500: ¥0.1665
3,000: ¥0.1152
22,414 当前型号
BSS138NH6327XTSA2 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS138N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.5544 

阶梯数 价格
100: ¥0.5544
200: ¥0.4225
1,500: ¥0.3679
3,000: ¥0.325
24,457 对比
DMN65D8LV-13 Diodes Incorporated MOSFET

¥0.5642 

阶梯数 价格
90: ¥0.5642
500: ¥0.3757
5,000: ¥0.3276
9,850 对比
DMN65D8LQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.3263 

阶梯数 价格
160: ¥0.3263
500: ¥0.2505
5,000: ¥0.219
7,154 对比
BSS138N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS138NH6327XTSA2_2.9mm SOT-23

¥0.5499 

阶梯数 价格
100: ¥0.5499
200: ¥0.2925
1,500: ¥0.286
1,917 对比
DMN65D8LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.3705 

阶梯数 价格
140: ¥0.3705
200: ¥0.2745
809 对比

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