| 制造商编号 | BSS138N H6327 |
|---|---|
| 商品别名 | BSS138NH6327XTSA2 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A36-BSS138N H6327 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
漏源极电压Vds：60V 连续漏极电流Id：230mA Rds On(Max)@Id,Vgs：3.5Ω@230mA,10V 栅极电压Vgs：±20V Pd-功率耗散(Max)：360mW
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 连续漏极电流Id | 230mA | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.5Ω@230mA,10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Qg-栅极电荷 | 1.4nC | |
| 配置 | Single | |
| Pd-功率耗散(Max) | 360mW | |
| 高度 | 1.10mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 系列 | BSS138 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 正向跨导 - 最小值 | 100mS | |
| 下降时间 | 8.2ns | |
| 上升时间 | 3ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 6.7ns | |
| 典型接通延迟时间 | 2.3ns | |
| 工作温度 | -55°C~150°C | |
| 封装/外壳 | SOT-23 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
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最小包：3,000
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：100 | 倍数：1 |
生产日期 : 23+
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专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
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高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LBSS138LT1G | 120,000 |
| PJA3401-AU_R1_000A1 | 39,000 |
| L2N7002DW1T1G | 30,200 |
| NX138AKR | 30,000 |
| PMV20ENR | 12,000 |
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