| 制造商编号 | DMN65D8LQ-7 |
|---|---|
| 制 造 商 | Diodes(达尔) |
| 唯样编号 | A36-DMN65D8LQ-7 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOSFET | |
| FET类型 | N-Channel | |
| Pd-功率耗散(Max) | 370mW(Ta) | |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 3Ω@115mA,10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 22 pF @ 25 V | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 0.87 nC @ 10 V | |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | |
| 工作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 连续漏极电流Id | 310mA(Ta) | |
| 驱动电压 | 5V,10V |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：140 | 倍数：1 |
生产日期 : 22+
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| ZVP4525E6TA | 1,696 |
| DMN62D0UDW-13 | 503 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMN65D8LQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23-3 |
￥0.3705
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609 | 当前型号 | ||||||||||
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DMN65D8L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 129,000 | 对比 | ||||||||||
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DMN65D8L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 |
￥0.5874
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33,990 | 对比 | ||||||||||
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2N7002H6327XTSA2 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
2N7002 H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.4719
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24,087 | 对比 | ||||||||||
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BSS138NH6327XTSA2 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSS138N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.5544
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20,857 | 对比 | ||||||||||
|
DMN65D8LV-13 | Diodes Incorporated | 通用MOSFET |
￥0.5642
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9,850 | 对比 |
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