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DMN4800LSSL-13  与  SI4410DYTRPBF  区别

型号 DMN4800LSSL-13 SI4410DYTRPBF
唯样编号 A36-DMN4800LSSL-13 A-SI4410DYTRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 8A 8SO Single N-Channel 30 V 2.5 W 30 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 13.5mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.46W(Ta) 2.5W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 14mΩ@8A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 798 pF @ 10 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 8.7 nC @ 5 V -
封装/外壳 8-SO 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 8A(Ta) 10A(Ta)
系列 - HEXFET®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1585pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1585pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 45nC @ 10V
库存与单价
库存 1,974 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.529
100+ :  ¥1.177
1,250+ :  ¥0.9966
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN4800LSSL-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥1.529 

阶梯数 价格
40: ¥1.529
100: ¥1.177
1,250: ¥0.9966
1,974 当前型号
IRF8707TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥1.54 

阶梯数 价格
40: ¥1.54
100: ¥1.188
1,000: ¥0.9889
2,000: ¥0.8987
4,000: ¥0.825
20,234 对比
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.7975 

阶梯数 价格
70: ¥0.7975
200: ¥0.5511
5,465 对比
IRF8707TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥1.0798 

阶梯数 价格
1: ¥1.0798
25: ¥0.931
33 对比
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
SI4410DYTRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

暂无价格 0 对比

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