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DMN3033LSD-13  与  FDS6982AS  区别

型号 DMN3033LSD-13 FDS6982AS
唯样编号 A36-DMN3033LSD-13 A-FDS6982AS
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.99mm
功率 - 2W
零件号别名 - FDS6982AS_NL
正向跨导-最小值 - 32 S, 19 S
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14 m0hms,28 m0hms
上升时间 - 7 ns
引脚数目 - 8
最小栅阈值电压 - 1V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 725pF @ 15V -
栅极电压Vgs - -20 V、+20 V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 13nC @ 10V -
封装/外壳 8-SO 5.0*3.99*1.5mm
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 6.9A 6.3 A,8.6 A
配置 - Dual Dual Drain
长度 - 5mm
最低工作温度 - -55 °C
最高工作温度 - +150 °C
每片芯片元件数目 - 2
下降时间 - 3 ns
高度 - 1.50mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 24 ns, 27 ns
漏源极电压Vds 30V 1250 pF@ 10 V, 610 pF@ 10 V
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) - 900mW
晶体管配置 - 隔离式
RdsOn(Max)@Id,Vgs 20mΩ@6.9A,10V -
典型关闭延迟时间 - 24 ns
FET类型 2N-Channel 增强
系列 - PowerTrench, SyncFET
通道数量 - 2 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 610pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 15nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 12 ns
库存与单价
库存 4,942 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
40+ :  ¥1.639
100+ :  ¥1.265
1,250+ :  ¥1.0692
2,500+ :  ¥0.9889
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3033LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 6.9A

¥1.639 

阶梯数 价格
40: ¥1.639
100: ¥1.265
1,250: ¥1.0692
2,500: ¥0.9889
4,942 当前型号
AO4854 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@10V

¥1.1682 

阶梯数 价格
50: ¥1.1682
200: ¥0.894
1,500: ¥0.7762
3,000: ¥0.7227
5,157 对比
FDS6990AS ON Semiconductor 功率MOSFET

22m Ohms@7.5A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 2N-Channel 逻辑电平门 30V 7.5A 22 毫欧 @ 7.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SO

¥2.12 

阶梯数 价格
1: ¥2.12
2: ¥2.0352
4: ¥1.9537
20 对比
FDS6982AS ON Semiconductor 小信号MOSFET

20V 28mΩ@6.3A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 30V 6.3A,8.6A 6.3 A,8.6 A 30 V 14 m0hms,28 m0hms -20 V、+20 V 增强 1250 pF@ 10 V, 610 pF@ 10 V 5.0*3.99*1.5mm

暂无价格 0 对比
IRL6372TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 17.9mΩ@8.1A,4.5V 2W N-Channel 30V 8.1A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7904TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 16.2mΩ@7.6A,10V 1.4W,2W N-Channel 30V 7.6A,11A 8-SO

暂无价格 0 对比

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