制造商编号 | DMN3033LSD-13 |
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制 造 商 | Diodes(达尔) |
唯样编号 | A36-DMN3033LSD-13 |
供货 | 严选 |
无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
描述 |
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
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参数有误?
参数 | 参数值 | 操作 |
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商品目录 | 通用MOSFET | |
FET类型 | 2N-Channel | |
RdsOn(Max)@Id,Vgs | 20mΩ@6.9A,10V | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 725pF @ 15V | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 13nC @ 10V | |
封装/外壳 | 8-SO | |
工作温度 | -55℃~150℃(TJ) | |
漏源极电压Vds | 30V | |
连续漏极电流Id | 6.9A |
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¥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价:¥1.793 总价:¥53.79 |
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。
最小包:2,500
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
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交期: 3天-15天 |
起订量:30 | 倍数:1 |
生产日期 : 23+
制造商编号 | 最近销量(PCS) |
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CQA34P01 | 111,000 |
LN4501LT1G | 45,000 |
LP4101LT1G | 30,200 |
PXN012-60QLJ | 18,390 |
S-LN2306ELT1G | 18,000 |
图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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DMN3033LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
2N-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 6.9A |
¥1.793
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4,942 | 当前型号 | ||||||||||
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AO4854 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@10V |
¥1.2375
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5,157 | 对比 | ||||||||||
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FDS6990AS | ON Semiconductor | 功率MOSFET |
22m Ohms@7.5A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 2N-Channel 逻辑电平门 30V 7.5A 22 毫欧 @ 7.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SO |
¥2.12
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20 | 对比 | |||||||||||
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FDS6982AS | ON Semiconductor | 小信号MOSFET |
20V 28mΩ@6.3A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 30V 6.3A,8.6A 6.3 A,8.6 A 30 V 14 m0hms,28 m0hms -20 V、+20 V 增强 1250 pF@ 10 V, 610 pF@ 10 V 5.0*3.99*1.5mm |
暂无价格 | 0 | 对比 | |||||||||||
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IRL6372TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 17.9mΩ@8.1A,4.5V 2W N-Channel 30V 8.1A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRF7904TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 16.2mΩ@7.6A,10V 1.4W,2W N-Channel 30V 7.6A,11A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |