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通用MOSFET   2N-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 6.9A

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图片丝印不一定为本产品

制造商编号 DMN3033LSD-13
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A36-DMN3033LSD-13
供货 严选
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
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参数 参数值 操作
商品目录 通用MOSFET
FET类型 2N-Channel
RdsOn(Max)@Id,Vgs 20mΩ@6.9A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 725pF @ 15V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 13nC @ 10V
封装/外壳 8-SO
工作温度 -55℃~150℃(TJ)
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 6.9A
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库存 :  4,942

价格梯度 单价(含税)
30 + ¥1.793
100 + ¥1.375
1,250 + ¥1.166

整包(请按2500的倍数下单)

2,500 + ¥0.9889
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:1.793

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制造商编号 最近销量(PCS)
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3033LSD-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 8-SO -55℃~150℃(TJ) 30V 6.9A

¥1.793 

阶梯数 价格
30: ¥1.793
100: ¥1.375
1,250: ¥1.166
2,500: ¥0.9889
4,942 当前型号
AO4854 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8 N-Channel 30V 20V 8A 2W 19mΩ@10V

¥1.2375 

阶梯数 价格
50: ¥1.2375
200: ¥0.9554
1,500: ¥0.8316
3,000: ¥0.7227
5,157 对比
FDS6990AS ON Semiconductor 功率MOSFET

22m Ohms@7.5A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 2N-Channel 逻辑电平门 30V 7.5A 22 毫欧 @ 7.5A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 8-SO

¥2.12 

阶梯数 价格
1: ¥2.12
2: ¥2.0352
4: ¥1.9537
20 对比
FDS6982AS ON Semiconductor 小信号MOSFET

20V 28mΩ@6.3A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC N-Channel 30V 6.3A,8.6A 6.3 A,8.6 A 30 V 14 m0hms,28 m0hms -20 V、+20 V 增强 1250 pF@ 10 V, 610 pF@ 10 V 5.0*3.99*1.5mm

暂无价格 0 对比
IRL6372TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 17.9mΩ@8.1A,4.5V 2W N-Channel 30V 8.1A 8-SO

暂无价格 0 对比
IRF7904TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) 16.2mΩ@7.6A,10V 1.4W,2W N-Channel 30V 7.6A,11A 8-SO

暂无价格 0 对比
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