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DMN3016LSS-13  与  RS3E135BNGZETB  区别

型号 DMN3016LSS-13 RS3E135BNGZETB
唯样编号 A36-DMN3016LSS-13 A33-RS3E135BNGZETB-0
制造商 Diodes Incorporated ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14.6mΩ@9.5A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.5W(Ta) 2W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 12mΩ@12A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1415 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 25.1 nC @ 10 V -
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10.3A(Ta) 9.5A(Ta)
驱动电压 4.5V,10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 1mA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 680pF @ 15V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 8.3nC @ 4.5V
库存与单价
库存 1,642 2,500
工厂交货期 3 - 15天 21 - 28天
单价(含税)
30+ :  ¥1.694
100+ :  ¥1.309
1,250+ :  ¥1.1
30+ :  ¥5.9795
50+ :  ¥3.4689
100+ :  ¥3.2964
500+ :  ¥2.7694
1,000+ :  ¥2.6735
2,000+ :  ¥2.4819
购买数量

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3016LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥1.694 

阶梯数 价格
30: ¥1.694
100: ¥1.309
1,250: ¥1.1
1,642 当前型号
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.7942 

阶梯数 价格
70: ¥0.7942
200: ¥0.6474
1,500: ¥0.5889
3,000: ¥0.5499
5,385 对比
RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥5.9795 

阶梯数 价格
30: ¥5.9795
50: ¥3.4689
100: ¥3.2964
500: ¥2.7694
1,000: ¥2.6735
2,000: ¥2.4819
2,500 对比
RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥5.9795 

阶梯数 价格
30: ¥5.9795
50: ¥3.4689
100: ¥3.2964
500: ¥2.7694
1,000: ¥2.6735
2,000: ¥2.4819
2,420 对比
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

暂无价格 0 对比
IRF7811AVPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

5mm

暂无价格 0 对比

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