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DMN3016LSS-13  与  IRF7811AVPBF  区别

型号 DMN3016LSS-13 IRF7811AVPBF
唯样编号 A36-DMN3016LSS-13 A-IRF7811AVPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7811AVPBF, 11.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 14mΩ
引脚数目 - 8
最小栅阈值电压 - 1V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1415 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V -
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 25.1 nC @ 10 V -
封装/外壳 8-SO -
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10.3A(Ta) 11.8A
长度 - 5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V
每片芯片元件数目 - 1 Ohms
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1801pF @ 10V
高度 - 1.50mm
类别 - 功率 MOSFET
典型关断延迟时间 - 43 ns
漏源极电压Vds 30V -
晶体管材料 - Si
Pd-功率耗散(Max) 1.5W(Ta) 3W
晶体管配置 -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 12mΩ@12A,10V -
FET类型 N-Channel -
系列 - HEXFET
驱动电压 4.5V,10V -
典型接通延迟时间 - 8.6 ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26nC @ 5V
库存与单价
库存 1,642 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.694
100+ :  ¥1.309
1,250+ :  ¥1.1
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3016LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

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50: ¥3.4689
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