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功率MOSFET   8-SOIC

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制造商编号 RS3E135BNGZETB
制 造 商 ROHM(罗姆)  
授权代理品牌
唯样编号 A33-RS3E135BNGZETB-0
供货
产品周期

量产中

无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:9.5A(Ta) 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Tc)
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参数 参数值 操作
商品目录 功率MOSFET
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 9.5A(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.3nC @ 4.5V
栅极电压Vgs ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 680pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 14.6mΩ@9.5A,10V
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 8-SOIC
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库存 :  2,500

价格梯度 单价(含税)
30+ ¥5.9795
50+ ¥3.4689
100+ ¥3.2964
500+ ¥2.7694
1,000+ ¥2.6735
2,000+ ¥2.4819
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

最小包:2,500 
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务,因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少,如果要购买整盘,建议购买这个数量的整数倍
交期: 3周-4周
起订量:30 倍数:1

特殊说明

生产年份  :  2022 年

热销商品

制造商编号 最近销量(PCS)
AO3401A 276,000
PJA3441_R1_00001 141,000
PJD16P06A-AU_L2_000A1 42,000
NCEP039N10D 24,000
NCE6012AS 20,000

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RS3E135BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥5.9795 

阶梯数 价格
30: ¥5.9795
50: ¥3.4689
100: ¥3.2964
500: ¥2.7694
1,000: ¥2.6735
2,000: ¥2.4819
2,500 当前型号
IRF8707TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥1.54 

阶梯数 价格
40: ¥1.54
100: ¥1.188
1,000: ¥0.9889
2,000: ¥0.8987
4,000: ¥0.825
20,714 对比
AO4468 AOS  数据手册 功率MOSFET

SO-8

¥0.7975 

阶梯数 价格
70: ¥0.7975
200: ¥0.5511
5,465 对比
RS3E095BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥2.3861 

阶梯数 价格
70: ¥2.3861
100: ¥2.2615
500: ¥1.9069
1,000: ¥1.8399
2,000: ¥1.7057
2,500 对比
RS3E095BNGZETB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

¥2.3861 

阶梯数 价格
70: ¥2.3861
100: ¥2.2615
500: ¥1.9069
1,000: ¥1.8399
2,000: ¥1.7057
2,152 对比
IRF8707TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

8-SO

¥1.0798 

阶梯数 价格
1: ¥1.0798
25: ¥0.931
33 对比
+1

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