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DMN3016LSS-13  与  IRF8707PBF-1  区别

型号 DMN3016LSS-13 IRF8707PBF-1
唯样编号 A36-DMN3016LSS-13 A-IRF8707PBF-1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 17.5mΩ
Ptot (@ TA=25°C) max - 2.5W
漏源极电压Vds 30V 30V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 1.5W(Ta) -
RdsOn(Max)@Id,Vgs 12mΩ@12A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1415 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V 20V
RthJA max - 50.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 25.1 nC @ 10 V -
Qgd - 2.2nC
封装/外壳 8-SO SO-8
Mounting - SMD
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -
连续漏极电流Id 10.3A(Ta) 9.1A
驱动电压 4.5V,10V -
QG - 6.2nC
Tj max - 150.0°C
库存与单价
库存 1,642 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥1.694
100+ :  ¥1.309
1,250+ :  ¥1.1
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3016LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

8-SO

¥1.694 

阶梯数 价格
30: ¥1.694
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1,642 当前型号
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¥0.7942 

阶梯数 价格
70: ¥0.7942
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