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DMG7430LFGQ-7  与  DMG7430LFG-7  区别

型号 DMG7430LFGQ-7 DMG7430LFG-7
唯样编号 A36-DMG7430LFGQ-7 A3-DMG7430LFG-7
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 11mΩ
上升时间 - 21.2ns
Qg-栅极电荷 - 26.7nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1281 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V 2.5V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 26.7 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 PowerDI
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 10.5A(Ta) 10.5A
配置 - SingleTripleSourceQuadDrain
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
下降时间 - 5.1ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 900mW(Ta) 2.2W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 11mΩ@20A,10V -
典型关闭延迟时间 - 22.3ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 - DMG7430
通道数量 - 1Channel
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1281pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 26.7nC @ 10V
典型接通延迟时间 - 5.2ns
库存与单价
库存 2,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
30+ :  ¥2.068
100+ :  ¥1.584
1,000+ :  ¥1.32
2,000+ :  ¥1.1
暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG7430LFGQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥2.068 

阶梯数 价格
30: ¥2.068
100: ¥1.584
1,000: ¥1.32
2,000: ¥1.1
2,000 当前型号
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

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¥1.1 

阶梯数 价格
50: ¥1.1
100: ¥0.737
1,000: ¥0.6699
2,000: ¥0.6094
4,000 对比
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