| 制造商编号 | DMG7430LFG-7 |
|---|---|
| 制 造 商 | Diodes(达尔) |
| 唯样编号 | A36-DMG7430LFG-7 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 26.7nC @ 10V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1281pF @ 15V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | PowerDI | |
| 连续漏极电流Id | 10.5A | |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.2W | |
| Qg-栅极电荷 | 26.7nC | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 11mΩ | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 栅极电压Vgs | 2.5V | |
| 上升时间 | 21.2ns | |
| 下降时间 | 5.1ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 22.3ns | |
| 典型接通延迟时间 | 5.2ns | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 系列 | DMG7430 | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 配置 | SingleTripleSourceQuadDrain |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：2,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：50 | 倍数：1 |
生产日期 : 24+
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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DMG7430LFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
PowerDI |
￥1.1
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4,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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AON7506 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN3x3EP |
￥1.133
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5,000 | 对比 | ||||||||||||
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RQ3E120GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT-8 |
￥2.7981
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2,170 | 对比 | ||||||||||||
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DMG7430LFGQ-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | MOSFET |
PowerDI3333-8 |
￥2.068
|
2,000 | 对比 | ||||||||||||
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NTTFS4C13NTWG | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8-WDFN(3.3x3.3) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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|
AON7506 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN3x3EP |
￥1.7887
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0 | 对比 |
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