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DMG3406L-7  与  IRLML6346TRPBF  区别

型号 DMG3406L-7 IRLML6346TRPBF
唯样编号 A36-DMG3406L-7 A-IRLML6346TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23 N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 63mΩ@3.4A,4.5V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 770mW(Ta) 1.3W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 50mΩ@3.6A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 495 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V ±12V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs - 4.5V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 11.2 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 Micro3™/SOT-23
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.6A(Ta) 3.4A
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds - 24V
系列 - HEXFET®
驱动电压 4.5V,10V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 270pF @ 24V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.9nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 270pF
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 2.9nC
库存与单价
库存 148 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
90+ :  ¥0.5753
暂无价格
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