| 制造商编号 | IRLML6346TRPBF |
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| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A-IRLML6346TRPBF |
| 供货 | 自营 |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 10µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.9nC | |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 4.5V | |
| 栅极电压Vgs | ±12V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 270pF | |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds | 24V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.3W(Ta) | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.5V,4.5V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.1V @ 10µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.9nC @ 4.5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 270pF @ 24V | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 63mΩ@3.4A,4.5V | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 30V | |
| 连续漏极电流Id | 3.4A | |
| 封装/外壳 | Micro3™/SOT-23 |
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| 价格梯度 | 单价(含税) |
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暂无价格 |
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 请咨询客服 |
可增强GNSS信号灵敏度，适用于工作频率范围为1164MH~1300MHz的L频段应用
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 288,000 |
| PJD50P04-AU_L2_000A1 | 114,000 |
| S-LP2408LT1G | 102,050 |
| PJA3441_R1_00001 | 69,000 |
| PSMN6R0-30YLDX | 24,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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IRLML6346TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 63mΩ@3.4A,4.5V N-Channel 30V 3.4A Micro3™/SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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DMG3402L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 1.4W(Ta) ±12V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 4A(Ta) |
￥0.6019
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20,271 | 对比 | ||||||||||
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DMG3418L-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.4W(Ta) 60mΩ@4A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 4A |
￥0.5239
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16,332 | 对比 | ||||||||||
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DMG3406L-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 770mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55℃~150℃(TJ) 30V 3.6A(Ta) |
￥0.4953
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9,689 | 对比 | ||||||||||
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RTR040N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) TSMT 4A 1W 48mΩ 30V 12V N-Channel |
￥1.9193
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100 | 对比 | ||||||||||
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RTR025N03TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
12V 1W(Ta) 92mΩ@2.5A,4.5V 150°C(TJ) TSMT N-Channel 30V 2.5A |
暂无价格 | 2 | 对比 |
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