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MOSFET   SOT-23-3

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制造商编号 DMG3406L-7
制 造 商 Diodes(达尔)
唯样编号 A36-DMG3406L-7
供货
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
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参数信息 常见问题

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参数 参数值 操作
商品目录 MOSFET
FET类型 N-Channel
Pd-功率耗散(Max) 770mW(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 50mΩ@3.6A,10V
栅极电压Vgs ±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 495 pF @ 15 V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 11.2 nC @ 10 V
封装/外壳 SOT-23-3
工作温度 -55℃~150℃(TJ)
漏源极电压Vds 30V
连续漏极电流Id 3.6A(Ta)
驱动电压 4.5V,10V
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库存 :  9,006

价格梯度 单价(含税)
90+ ¥0.5753
200+ ¥0.4394
1,500+ ¥0.3822

整包(请按3000的倍数下单)

3,000+ ¥0.338
¥2  
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘

单价:

总价:

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最小包:3,000 
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交期: 3天-15天
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生产日期  :  2年内

热销商品

制造商编号 最近销量(PCS)
ZVP4525E6TA 1,696
DMN62D0UDW-13 503

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG3406L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.5753 

阶梯数 价格
90: ¥0.5753
200: ¥0.4394
1,500: ¥0.3822
3,000: ¥0.338
9,006 当前型号
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥0.7326 

阶梯数 价格
70: ¥0.7326
200: ¥0.5967
1,500: ¥0.5421
3,000: ¥0.507
15,477 对比
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

¥1.1499 

阶梯数 价格
140: ¥1.1499
500: ¥1.1499
1,000: ¥1.1212
4,000: ¥1.0939
5,500 对比
DMG3406L-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

¥0.616 

阶梯数 价格
90: ¥0.616
100: ¥0.5018
500: ¥0.4563
564 对比
IRLML6346TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比
BSS306NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS306N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比
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