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BSS83PH6327XTSA1  与  2SJ168TE85LF  区别

型号 BSS83PH6327XTSA1 2SJ168TE85LF
唯样编号 A36-BSS83PH6327XTSA1 A-2SJ168TE85LF
制造商 Infineon Technologies Toshiba
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 MOSFET P-CH 60V 200MA SC59
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 360mW(Ta) -
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds - 60 V
Pd-功率耗散(Max) - 200mW(Ta)
产品状态 - 在售
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2欧姆 @ 50mA,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 78pF @ 25V 85 pF @ 10 V
FET类型 P 通道 P-Channel
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SC-59
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2V @ 80uA -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.57nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 200mA(Ta)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 2 欧姆 @ 330mA,10V -
Vgs(最大值) ±20V ±20V
25°C时电流-连续漏极(Id) 330mA(Ta) -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 10V
漏源电压(Vdss) 60V -
库存与单价
库存 26,521 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
80+ :  ¥0.7139
200+ :  ¥0.5811
1,500+ :  ¥0.5291
3,000+ :  ¥0.494
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSS83PH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS83P H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

¥0.7139 

阶梯数 价格
80: ¥0.7139
200: ¥0.5811
1,500: ¥0.5291
3,000: ¥0.494
26,521 当前型号
ZXMP6A13FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 3.04mm

¥1.177 

阶梯数 价格
50: ¥1.177
200: ¥0.9042
1,500: ¥0.7865
2,211 对比
2SJ168TE85LF Toshiba  数据手册 通用MOSFET

SC-59

暂无价格 0 对比
ZXMP6A13FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 3.04mm

暂无价格 0 对比
ZXMP6A13FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 3.04mm

暂无价格 0 对比
BSS83P H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS83PH6327XTSA1_2.9mm SOT-23

¥0.7513 

阶梯数 价格
70: ¥0.7513
200: ¥0.6123
1,500: ¥0.5564
3,000: ¥0.52
15,442 对比

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