| 制造商编号 | BSS83P H6327 |
|---|---|
| 商品别名 | BSS83PH6327XTSA1 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A36-BSS83P H6327 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
漏源极电压Vds：-60V 连续漏极电流Id：-330mA Rds On(Max)@Id,Vgs：2Ω@330mA,10V 栅极电压Vgs：±20V Pd-功率耗散(Max)：360mW
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
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| 商品目录 | 小信号MOSFET | |
| 通道数量 | 1Channel | |
| 漏源极电压Vds | -60V | |
| 连续漏极电流Id | -330mA | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2Ω@330mA,10V | |
| 栅极电压Vgs | ±20V | |
| Qg-栅极电荷 | 2.38nC | |
| 配置 | Single | |
| Pd-功率耗散(Max) | 360mW | |
| 高度 | 1.10mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| FET类型 | P-Channel | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 正向跨导 - 最小值 | 0.24S | |
| 下降时间 | 61ns | |
| 上升时间 | 71ns | |
| 典型关闭延迟时间 | 56ns | |
| 典型接通延迟时间 | 23ns | |
| 工作温度 | -55°C~150°C | |
| 封装/外壳 | SOT-23 |
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：70 | 倍数：1 |
生产日期 : 23+
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| LBSS138LT1G | 120,000 |
| PJA3401-AU_R1_000A1 | 39,000 |
| L2N7002DW1T1G | 30,200 |
| NX138AKR | 30,000 |
| PMV20ENR | 12,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BSS83P H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
BSS83PH6327XTSA1_2.9mm SOT-23 |
￥0.7513
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15,442 | 当前型号 | ||||||||||
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BSS83PH6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSS83P H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.77
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33,556 | 对比 | ||||||||||
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BSS83PH6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSS83P H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.7139
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29,961 | 对比 | ||||||||||
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|
BSS83PH6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSS83P H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.649
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18,000 | 对比 |
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