| 制造商编号 | BSS83PH6327XTSA1 |
|---|---|
| 商品别名 | BSS83P H6327 |
| 制 造 商 | Infineon(英飞凌) |
| 唯样编号 | A36-BSS83PH6327XTSA1 |
| 供货 | |
| 无铅情况/RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 描述 |
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
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| PDF资料下载 |
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参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 330mA(Ta) | |
| FET类型 | P 通道 | |
| Vgs(最大值) | ±20V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 2 欧姆 @ 330mA,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2V @ 80uA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 78pF @ 25V | |
| 不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 3.57nC @ 10V | |
| 功率耗散(最大值) | 360mW(Ta) | |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V |
Infineon SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）
· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）
· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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￥2
若购买整盘会自带料盘无需额外购买料盘
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单价：￥ 总价：￥ |
购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。
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最小包：3,000
制造商那里获得的最小包装数。由于唯样提供增值服务，因此最低起购数量可能会比制造商的最小包装数量少，如果要购买整盘，建议购买这个数量的整数倍
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交期： 3天-15天 |
| 起订量：80 | 倍数：1 |
生产日期 : 2年内
创新的多核架构基于多达三个独立的32位TriCore CPU，旨在满足最高的安全标准，同时显著提高性能
低饱和压降VCEsat,低开关损耗以及高电流密度
专为高性能应用设计，针对高开关频率进行了优化，品质因数出色
提供从400 V到2000 V的CoolSiC™MOSFET产品，可在工业领域实现广泛应用
高性能低噪声放大器 (LNA) MMIC，基于英飞凌可靠的大容量硅锗碳 (SiGe:C) 双极技术
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| AO3401A | 276,000 |
| PJA3441_R1_00001 | 141,000 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 42,000 |
| NCEP039N10D | 24,000 |
| NCE6012AS | 20,000 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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BSS83PH6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
BSS83P H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
￥0.7139
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13,651 | 当前型号 | ||||||||||
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ZXMP6A13FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 3.04mm |
￥1.177
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2,211 | 对比 | ||||||||||
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2SJ168TE85LF | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
SC-59 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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ZXMP6A13FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 3.04mm |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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ZXMP6A13FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 3.04mm |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BSS83P H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
BSS83PH6327XTSA1_2.9mm SOT-23 |
￥0.7513
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15,437 | 对比 |
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