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BSH108,215  与  FDN357N  区别

型号 BSH108,215 FDN357N
唯样编号 A36-BSH108,215 A36-FDN357N
制造商 Nexperia ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 通用MOSFET
描述 BSH Series 30 V 120 mO 0.83 W N-Channel Enhancement Mode Transistor - SOT-23-3 N-Channel 30 V 60 mOhm Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 60 毫欧 @ 2.2A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 0.83W 500mW(Ta)
输出电容 70pF -
栅极电压Vgs 1.5V,20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT23 SuperSOT
工作温度 150℃ -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.9A 1.9A
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
输入电容 190pF -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 235pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.9nC @ 5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 4.5V,10V
Rds On(max)@Id,Vgs 140mΩ@5V,120mΩ@10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 235pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.9nC @ 5V
库存与单价
库存 2 5,887
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
30+ :  ¥1.848
100+ :  ¥1.474
750+ :  ¥1.32
1,500+ :  ¥1.243
3,000+ :  ¥1.188
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSH108,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH108_SOT23

暂无价格 2 当前型号
2N7002LT1G ON Semiconductor 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.7656 

阶梯数 价格
70: ¥0.7656
200: ¥0.3016
1,500: ¥0.2175
3,000: ¥0.15
86,806 对比
DMN3300U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 32,000 对比
FDN357N ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

暂无价格 12,000 对比
FDN357N ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

¥1.848 

阶梯数 价格
30: ¥1.848
100: ¥1.474
750: ¥1.32
1,500: ¥1.243
3,000: ¥1.188
5,887 对比
ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥1.408 

阶梯数 价格
40: ¥1.408
200: ¥1.0846
1,500: ¥0.9438
3,000: ¥0.8206
5,885 对比

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