首页 > 商品目录 > > > > AON7408代替型号比较

AON7408  与  BSZ040N04LSGATMA1  区别

型号 AON7408 BSZ040N04LSGATMA1
唯样编号 A36-AON7408 A-BSZ040N04LSGATMA1
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 41 -
功率耗散(最大值) - 2.1W(Ta),69W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 20mΩ@10V -
ESD Diode No -
Rds On(Max)@4.5V 32mΩ -
Qgd(nC) 1.6 -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 5100pF @ 20V
栅极电压Vgs 20V -
Td(on)(ns) 4.3 -
封装/外壳 DFN 3x3 EP 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id 18A -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 64nC @ 10V
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
Ciss(pF) 373 -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 4 毫欧 @ 20A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4.5V,10V
Schottky Diode No -
Trr(ns) 10.5 -
Td(off)(ns) 15.8 -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 11W -
Qrr(nC) 4.5 -
VGS(th) 2.6 -
FET类型 N-Channel N 通道
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 2V @ 36uA
25°C时电流-连续漏极(Id) - 18A(Ta),40A(Tc)
漏源电压(Vdss) - 40V
Coss(pF) 67 -
Qg*(nC) 7.1 -
库存与单价
库存 906 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
80+ :  ¥0.682
500+ :  ¥0.5759
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON7408 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN3x3EP

¥0.682 

阶梯数 价格
80: ¥0.682
500: ¥0.5759
906 当前型号
BSZ040N04LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ040N04LSGATMA1_3.3mm

¥6.7365 

阶梯数 价格
30: ¥6.7365
50: ¥5.9603
100: ¥5.3087
500: ¥5.2991
1,000: ¥5.2895
2,000: ¥5.2608
4,000: ¥5.232
4,950 对比
DMN3024SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

¥1.738 

阶梯数 价格
30: ¥1.738
100: ¥1.342
1,000: ¥1.122
1,589 对比
BSZ040N04LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ040N04LS G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
AON7408L AOS 功率MOSFET

8-DFN-EP(3x3)

暂无价格 0 对比
DMN3027LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售